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保利协鑫发布“鑫单晶G2” 平均光电转换率逾19%

作者: | 发布日期: 2013 年 12 月 24 日 9:21 | 分类:

多晶硅龙头保利协鑫能源近日发布第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”。相较于第一代类单晶产品G1，“鑫单晶G2”平均光电转换效率超过19%，提升了1.1%，可用于制备280/335W(60/72PCS)以上电池组件。

相较于以传统直拉法制得的单晶产品，“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益，光衰平均低1%，具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点。

“鑫单晶G2”，加上原有的“鑫单晶G1”，高效多晶S1、S2、S3，经过不同的电池工艺，可制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品。

保利协鑫人员表示，第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”，预计于明年进入商业化量产。

据悉，保利协鑫明年的硅片产能，有望从目前的8GW提升到10GW。而正在推行的硅烷流化床技术，可降低多晶硅生产成本至约10美元/公斤。

保利协鑫单晶硅片

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