比利时纳米电子研究中心IMEC宣布创下了基于6吋商用N型Cz-Si硅片的大面积N型PERT（钝化发射极，背面完全扩散）晶体硅太阳能电池片的新转换效率记录，达22.02%。此新技术已在ISE校准实验室校准，其开路电压为684mV，短电路电流为39.9mA/cm2,填充因子达80.7%。
IMEC称，其在太阳能电池表面的前面使用激光掺杂的方法，改进了开路电压和短电路电流，由此而获得新效率记录。该电池技术使用西班牙梅科的工业电镀工具，通过后钝化堆栈然后金属化的激光切除方法，使得该电池的镍/铜/银能正面接触。此后钝化堆栈包含一个薄（<10nm）ALD沉积氧化铝层。 IMEC的n-PRET技术平台经理Filip Duerinckx表示，此电池技术在实现新效率记录的同时也简化了生产流程，如今仅需简单的清洗，而无需任何成本较高的氢氮混合气体退火(FGA)流程，相信能在短时期内把此技术带进市场。
